第54章 近軸照明模式!(1/2)


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對於蘇晨的話,其他工程師不敢公開質疑,但華光總工程師仍忍不住反駁:

“蘇院士,據我所知,1納米工藝,哪怕在理論上也是很難實現的。要知道從光刻技術的發展來看,提高光刻分辨力的主要路徑是增大投影物鏡的數值孔徑、縮短曝光波長和降低工藝因子。但無論是增大物鏡還是縮短曝光波長均極大的縮短了光刻的有效焦深,所以就算把所有條件做到極致,也幾乎實現不了1納米工藝!”

聽他這樣說,蘇晨淡然答道:

“總工,我們可以用近軸照明模式解決這個問題!!”

“什麼——近軸照明模式?!”

此概念一出,全場為之一震。

蘇晨:“不錯!在傳統照明模式下,參與干涉成像的是 ±1 級衍射光,並形成了整體背景光,影響了傳統照明模式下的成像對比度。而在近軸照明模式下,由於採用的傾斜入射,衍射光不再能夠全部通過具有一定孔徑的成像系統,不參與成像的衍射光無法進入成像系統,避免了背景光對成像對 比度的影響,進而提高了成像分辨力。”

!!!

蘇晨直指問題本質!

現場所有工程師都心呼叫:卧槽——

這帥比好像不止是學術神棍……

竟能準確地說出近軸照明模式優勢,這可不是一般人能做到的!

哪怕是普通的芯片工程師也沒辦法理解到這一步!

如此一來,華光工程師們看向蘇晨的目光又變了……

由驚異變為驚奇。

就連任維中聽了,都開始對蘇晨刮目相看。

看來,三號首席帶來的這位,果然有點東西的。

華光總工聽了蘇晨的見解,也是一驚:

他竟然能想到了近軸照明模式!

關於近軸照明模式,華光總工帶領團隊也嘗試過,但是失敗了。

於是,他實事求是地說:

“蘇總工,實不相瞞,您的這個思路我們已經嘗試過,但是最終還是失敗了,因為我們無法找到在近軸照明模式下,部分相干光源照射到掩模後發生衍射的規律,也就是說無法找到表達衍射規律的衍射方程!”

蘇晨聽了,沒有說話,直接掏出手機,開始編輯。

編輯完成後,展示給華光總工:

“總工,近軸光源照射到掩模後發生衍射的規律,可以用這個方程表達!”

Asinθ/2=2NA(1+σ)2NA(+1)NA

!!!

華光總工看到了這個表達方程!

這麼快——

他竟然這麼快就編輯出了衍射表達方程?!

華光總工又仔細看了一遍方程,卻發現自己也無法全然理解。

不可能——這肯定是他信手亂寫的!

華光總工投來懷疑的目光:“蘇總工,這個方程看起來很奇怪,而且,沒有經過光刻機對焦系統程序驗證,恐怕暫時無法採用。”

蘇晨:“我們現在就可以將方程輸入光刻機對焦系統程序進行驗證!”

!!!

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